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全金屬密封磁控濺射靶槍是一種用于磁控濺射技術(shù)的設(shè)備，主要由金屬制成的密封容器和靶材組成。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于各種薄膜制備工藝中，如光學(xué)薄膜、電子薄膜、磁性薄膜等。
超高真空磁控濺射外延系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜制備設(shè)備，結(jié)合了超高真空技術(shù)和磁控濺射技術(shù)，用于在襯底上外延生長高質(zhì)量的薄膜材料。
有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備：該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性。
金屬熱蒸鍍設(shè)備：熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜，其中以電阻式加熱法最為常見的。
熱蒸鍍設(shè)備是用於沉積材料中簡單的物理氣相沉積（PVD）。將材料（金屬或者有機(jī)材料等）置於真空環(huán)境中的電阻熱源中，使其加熱並蒸發(fā)，以最直接的方式蒸發(fā)到基板上，然後在基板上凝結(jié)成固態(tài)形成薄膜。
FPD-PVD磁控濺鍍設(shè)備針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PVD 設(shè)備，擁有4個(gè)單獨(dú)的濺鍍腔體，讓客戶能任意搭配沉積的材料，同時(shí)保有彈性和具有選擇性的系統(tǒng)。
連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備：In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個(gè)或多個(gè)濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積。其基板沿著軌道穿過各個(gè)真空腔內(nèi)。
超高真空磁控濺鍍設(shè)備超高真空環(huán)境的特徵為其真空壓力低於10-8至10-12 Torr，且在化學(xué)、物理和工程領(lǐng)域十分常見。
